INFLUENCE DE CYCLE DE COURTS-CIRCUITS SUR LA DUREE DE VIE DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE .
F. Saint-Eve, S. Lefebvre, Z. Khatir, P. Dang, J-C. Faugières, « Influence de cycle de courts-circuits sur la durée de vie de composants semi-conducteurs de puissance », article de conférence EPF Montpellier 2002.
| Résumé |
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Dans cet article, nous traitons du comportement de composants IGBT et CoolMOS en régime répétitif de courts-circuits, à des températures de boîtier de 25°C et 125°C. Pour des conditions expérimentales données, nous mettons en évidence la présence d’une énergie « critique » en dessous de laquelle les composants sont à même de supporter un très grand nombre de court-circuit sans vieillissement apparent ni dégradations des caractéristiques.
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