Comportement de transistors IGBT en régime répétitif de court-circuit
F. SAINT-EVE, S. LEFEBVRE, Z. KHATIR, “Comportement de transistors IGBT en régime répétitif de court-circuit », Revue Internationale de Génie Electrique, ed. Hermès, juin 2004
| Résumé |
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L’objet de cet article est l’étude du comportement de différents types de transistors IGBT (de technologies à base homogène (NPT) et à base épitaxiée (PT)), soumis à des régimes répétitifs de courts-circuits, pour différentes énergies de court-circuit, et différentes températures de boîtier (25°C et 125°C). Nous mettons en évidence, pour des conditions expérimentales données, la présence d’une énergie critique en-dessous de laquelle les IGBT sont capables de supporter un très grand nombre de courts-circuits sans dégradation apparente de leurs caractéristiques
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