SATIE| Les Personnes | Les Chercheurs et Enseignants-Chercheurs | Lefebvre Stéphane


Lefebvre Stéphane
Poste : Professeur des universités CNAM
Appartenance : : Groupe EPI du pôle CSEE
(Electronique de Puissance et Intégration)
Adresse e-mail : stephane.lefebvre@satie.ens-cachan.fr
Adresse postale : SATIE, 61 Avenue du Président Wilson
94235 Cachan Cedex
France
Numéro de téléphone : 01 47 40 21 08


Atteindre directement : Curriculum Thèmes de recherche Travaux et Publications (extraits à partir de 2000)

Curriculum
Agrégé de génie électrique en 1990, il obtient un doctorat de l’ENS de Cachan en 1994 sur le comportement d’IGBT en commutation à zéro de courant. De 1994 à 1995 il est PRAG à l’ENSEA de Cergy-Pontoise, puis maître de conférences dans le même établissement de 1995 à 2000. En Septembre 2000 il est nommé maître de conférences au CNAM. Il est professeur au CNAM depuis 2007. Depuis Septembre 2000 ses activités de recherche s’effectuent au SATIE sur une thématique liée à la durée de vie et la fiabilité des composants semi-conducteur de puissance dans des régimes de fonctionnement contraignants (haute température et régimes extrêmes de fonctionnement. Il est responsable d'une filière de formation d'ingénieurs en génie électrique par l'apprentissage au sein de l’Ecole d'Ingénieur du CNAM.

Thèmes de Recherche
Fiabilité et durée de vie des composants à semiconducteurs de puissance : De 1994 à 1999 ses activités de recherche ont concerné l’étude du comportement et la caractérisation de composants à semi-conducteur de puissance en régime extrême de fonctionnement. Depuis 1999, ses activités de recherche sont axées sur la fiabilité et la durée de vie de composants à semi-conducteur de puissance utilisés dans des environnement électrique ou thermiques contraignant. Ces activités sont menées dans SPEELABs en collaboration avec le LTN de l’INRETS.


Travaux et Publications (extraits)
Study for the non-contact characterization of metallization ageing of power electronic semiconductor devices using the eddy current technique :
- Tien Anh Nguyen - Pierre-Yves Joubert - Stéphane Lefebvre - Gérard Chaplier - L. Rousseau
- Microelectronics Reliability 51 (2011) 1127–1135.
 
Estimation of a Surface Current Distribution from Two-dimensional Magnetic Field Measurements :
- Tien Anh Nguyen - Pierre-Yves Joubert - Stéphane Lefebvre - Gérard Chaplier
- JSAEM Studies in Electromagnetics and Mechanics. 14, Applied Electromagnetics and Mechanics, proceedings of 15th ISEM 2011, 7-9 September 2011, Naples, Italy, pp 375-376
 
Robustness of SiC JFET in Short Circuit mode :
- Narjès BOUGHRARA - Sabrine MOUMEN - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - - Jean-Claude Faugière
- IEEE Electron device letters, 2009, vol 30, n°1, pp 51-53
 
Thermal fatigue and failure of electronic power device substrates :
- Sylvain PIETRANICO - Sylvie POMMIER - Stéphane Lefebvre -
- International Journal of Fatigue 31 (2009) 1911-1920
 
Estimation of SiC JFET temperature during short-circuit operations :
- Mounira BERKANI - Stéphane Lefebvre - Narjès BOUGHRARA - Zoubir Khatir - Jean-Claude Faugière - -
- Microelectronics Reliability, 2009, vol 49, n°9-11, pp 1358-1362
 
Characterisation of power ceramic substrates for reliability aspects :
- Sylvain PIETRANICO - Sylvie POMMIER - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Serge Bontemps
- Microelectronics Reliability, vol 49, issues 9-11, September-November 2009, pp 1260-1266
 
Method to Improve the Reliability and the Fatigue Life of Power Device Substrates :
- Sylvain PIETRANICO - Sylvie POMMIER - Stéphane Lefebvre
- ICF 12 - 12th International Conference on Fracture. Ottawa 2009
 
“Investigations on ageing of IGBT transistors under repetitive short-circuits operations” :
- Mounira BERKANI - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Serge Bontemps
- pp.237-242, PCIM China, juin 2009
 
Fatigue et rupture fragile de substrats DCB pour applications haute température :
- Sylvain PIETRANICO - Sylvie POMMIER - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir
- XII Conférence d'Electronique de Puissance du Futur, Tours, France
 
"Temperature Levels Effects on Solder Lifetime During Thermal Cycling of Power Modules" :
- M. BOUARROUDJ - Zoubir Khatir - J.P. OUSTEN - Stéphane Lefebvre
- IEEE Transactions on Device and Materials and Reliability (à paraître en 2008)
 
Rupture fragile et fatigue des substrats DBC :
- Stéphane Lefebvre
-
 
« Investigations on ageing of IGBT and COOLMOSTM transistors under repetitive short-circuits operations » :
- Mohand Arab - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Serge Bontemps
- PCIM Nürmberg, Allemagne, mai 2008
 
« Investigations on Temperature Levels Effect on Solder Lifetime During Thermal Cycling of Power Modules” :
- M. BOUARROUDJ - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre
- Article soumis et accepté, IEEE PESC’08, Juin 2008, Rhodes, Grèce
 
“Ageing of IGBT transistors under repetitive short-circuits operations” :
- Mohand Arab - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Serge Bontemps
- Article soumis et accepté, IEEE PESC’08, Juin 2008, Rhodes, Grèce
 
« Etude de la robustesse de transistors JFET SiC en régimes de court-circuit » :
- Narjès BOUGHRARA - Sabrine MOUMEN - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir
- EPF2008, Tours, juillet 2008
 
"Experimental and numerical investigations on delayed short-circuit failure mode of single chip IGBT devices" :
- Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Frédéric Saint-Eve
- Microelectronics Reliability, Volume 47, Issues 2-3, February-March 2007, Pages 422-428
 
"Degradation behavior of 600 V-200 A IGBT modules under power cycling and high temperature environment conditions" :
- M. BOUARROUDJ - Zoubir Khatir - J.P. OUSTEN - F. BADEL - Laurent Dupond - Stéphane Lefebvre
- Microelectronics Reliability, Volume 47, Issues 9-11, Spetember-November 2007, Pages 1719-1724
 
"Evaluation de Technologies de Substrats Céramiques sous des Cyclages en Température de Forte Amplitude" :
- Laurent Dupond - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Serge Bontemps -
- Revue Internationale de Génie Electrique, vol.10 - n°5, 2007, ed. Hermès
 
"Failure modes on low voltage power MOSFETs under high temperature application" :
- Laurent Dupond - Stéphane Lefebvre - M. BOUARROUDJ - Zoubir Khatir - Jean-Claude Faugière
- Microelectronics Reliability, Volume 47, Issues 9-11, Septembre 2007, Pages 1767-1772
 
"Thermo-mechanical investigations on the effects of the solder meniscus design in solder lifetime" :
- M. BOUARROUDJ - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Laurent Dupond
- IEEE International Conference on Simulations and Experiments in Microelectronic and Microsystems (IEEE-ESIME), April 2007, London.
 
“Comparison of stress distributions and failure modes during thermal cycling and power cycling on high power IGBT module” :
- M. BOUARROUDJ - Zoubir Khatir - J.P. OUSTEN - F. BADEL - Stéphane Lefebvre - Laurent Dupond
- 2007, Sept. 2007, Aalborg, Denmark
 
“Ageing Test Results of low voltage MOSFET Modules for Electrical Vehicles” :
- Laurent Dupond - Stéphane Lefebvre - M. BOUARROUDJ - Zoubir Khatir - Jean-Claude Faugière -
- European Power Electronics Conference, EPE 2007, Sept. 2007, Aalborg, Denmark
 
Effects of metallization thickness of ceramic substrates on the reliability of power assemblies under high temperature cycling :
- Laurent Dupond - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Serge Bontemps
- Microelectronics Reliability 46, pp 1766-1771, September-November 2006
 
« Study of different ceramic substrates technologies under high temperature cycles” :
- Laurent Dupond - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Serge Bontemps - Régis Meuret
- PCIM’06, Nürnberg, Allemagne, juin 2006
 
“Accelerated ageing test benches of standard IGBT/MOSFET modules for hybrid 6kW-50kW electrical vehicles” :
- M Elghazouani - François Forest - Jean-Jacques Huselstein - Zoubir Khatir - M. BOUARROUDJ - Stéphane Lefebvre - Frédéric Richardeau
- conference Automotive Power Electronics APE 2006, Juin 2006, Paris
 
« Evaluation of Substrate Technologies under High Temperature Cycling ” :
- Laurent Dupond - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Serge Bontemps
- CIPS 2006, Conference on Integrated Power Electronics Systems, Naples, June 2006
 
"Experimental behavior of single chip IGBT and COOLMOS devices under repetitive Short-Circuit conditions" :
- Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Frédéric Saint-Eve
- IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 52 Number 2, February 2005, pp 276-283
 
"Influence of repetitions of short-circuit conditions on IGBT lifetime" :
- Frédéric Saint-Eve - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir
- EPE Journal, Vol. 15, n°4, December 2005
 
"Composants à semi-conducteur de puissance pour des applications à haute température de fonctionnement" :
- B Allard - G. Coquery - Laurent Dupond - Zoubir Khatir - - Stéphane Lefebvre - Régis Meuret - -
- revue électronique J3eA, Volume 4, Hors-série 1, 2005
 
Contributions à la connaissance de la fiabilité des composants semiconducteurs de puissance :
- G. Coquery - Laurent Dupond - - François Forest - Jean-Jacques Huselstein - - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - - Sandrine Moreau - Frédéric Richardeau - Frédéric Saint-Eve -
- hors-série "Diagnostic en EEA (journées Electrotechnique 2005)" de la revue électrotechnique J3eA, Volume 4, Hors-Série 4, 2005
 
“Investigations on the behavior of IGBT devices under repetitive short-circuits operations” :
- Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre
- PCIM’05, Nürnberg, Allemagne, juillet 2005
 
«Electrical characterisations and evaluation of thermo-mechanical stresses of a power module dedicated to high temperature applications” :
- Laurent Dupond - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Régis Meuret - Serge Bontemps
- EPE 2005, Dresden, Allemagne, septembre 2005
 
«Evaluation of thermo-mechanical stresses of a power module dedicated to high temperature applications” :
- Laurent Dupond - Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Régis Meuret - Serge Bontemps
- HITEN 2005, Paris, France, septembre 2005
 
«Reliability challenges of power electronics modules in automotive environment” :
- Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre - Frédéric Richardeau
- SENSACT 2005, Marne La Vallée, décembre 2005
 
Comportement de transistors IGBT en régime répétitif de court-circuit :
- Frédéric Saint-Eve - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir
- F. SAINT-EVE, S. LEFEBVRE, Z. KHATIR, “Comportement de transistors IGBT en régime répétitif de court-circuit », Revue Internationale de Génie Electrique, ed. Hermès, juin 2004
 
Banc de cyclage actif pour l’analyse de la fatigue thermique des brasures de composants IGBTs :
- Laurent Dupond - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - G. Coquery - Jean-Claude Faugière
- L.DUPONT, S.LEFEBVRE, Z.KHATIR, G.COQUERY, JC.FAUGIERES, « Banc de cyclage actif pour l’analyse de la fatigue thermique des brasures de composants IGBTs », Revue REE, N°2 Février 2004, pp.45-51
 
Study on IGBT lifetime under repetitive short-circuits conditions. :
- Frédéric Saint-Eve - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir
- F. Saint-Eve, S. Lefebvre, Z. Khatir, « Study on IGBT lifetime under repetitive short-circuits conditions », article de conférence PCIM Nuremberg 2004
 
ANALYSE DE MODES DE DEFAILLANCE DE TRANSISTORS IGBT EN REGIME REPETITIFS DE COURT-CIRCUIT :
- Frédéric Saint-Eve - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir
- F. Saint-Eve, S. Lefebvre, Z. Khatir, « Analyse de mode de défaillances de transistors IGBT en régime répétitifs de courts-circuits », article de conférence EPF Toulouse 2004
 
Composants bipolaires : circuits de commande :
- Stéphane Lefebvre - Bernard MULTON
- S. LEFEBVRE, B. MULTON, « composants bipolaires : circuits de commande», Techniques de l’Ingénieur, Article D3222, Mai 2003
 
MOSFET et IGBT : circuits de commande :
- Stéphane Lefebvre - Bernard MULTON
- S. LEFEBVRE, B. MULTON, « MOSFET et IGBT : circuits de commande », Techniques de l’Ingénieur, Article D3223, Août 2003
 
Influence of repetitions of short-circuits conditions on IGBT lifetime :
- Frédéric Saint-Eve - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir
- F. Saint-Eve, S. Lefebvre, Z. Khatir, « Influence of repetition of short-circuits conditions on IGBT lifetime », article de conférence EPE Toulouse 2003.
 
Reliability of CoolMOS Under Extremely Hard Repetitive Electrical Working Conditions :
- Frédéric Saint-Eve - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir
- F. Saint-Eve, S. Lefebvre, Z. Khatir, « Reliability of CoolMOSTM under extremely hard repetitive electrical working conditions », article de conference ISPSD Oxford 2003
 
Circuits de commande pour composants bipolaires de puissance :
- Stéphane Lefebvre - Bernard MULTON
- Techniques de l'Ingénieur, Traités de Génie Electrique, D3232, mai 2003.
 
Circuits de commande pour MOS et IGBT :
- Stéphane Lefebvre - Bernard MULTON
- Techniques de l'Ingénieur, Traités de Génie Electrique, D3233, août 2003.
 
Commande des semi-conducteurs de puissance - contextes :
- Stéphane Lefebvre - Bernard MULTON
- S. LEFEBVRE, B. MULTON, « commande des semi-conducteur de puissance – contextes », Techniques de l’Ingénieur, Article D3220, Août 2002
 
Commande des semi-conducteurs de puissance - principes :
- Stéphane Lefebvre - Bernard MULTON
- S. LEFEBVRE, B. MULTON, « commande des semi-conducteur de puissance – principes », Techniques de l’Ingénieur, Article D3221, Novembre 2002
 
Influence of the gate internal impedance on losses in a power MOS transistor switching at a high frequency in the ZVS mode :
- Stéphane Lefebvre - François Costa - F. Miserey
- IEEE Transaction on power electronics, Vol. 17, N°1, pp. 33-39, January 2002
 
Design of a Flyback transformer using a stress-annealed iron-based nanocrystalline alloy :
- Francisco ALVES - François Costa - Adel BENCHABI - Fabien SIMON - Stéphane Lefebvre
- EPJ AP N°18, pp.173-180 (2002)
 
INFLUENCE DE CYCLE DE COURTS-CIRCUITS SUR LA DUREE DE VIE DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE . :
- Frédéric Saint-Eve - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Patrice Dang - Jean-Claude Faugière
- F. Saint-Eve, S. Lefebvre, Z. Khatir, P. Dang, J-C. Faugières, « Influence de cycle de courts-circuits sur la durée de vie de composants semi-conducteurs de puissance », article de conférence EPF Montpellier 2002.
 
Boundary element analysis of thermal fatigue effects on high power IGBT modules :
- Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre
- Z. KHATIR, S. LEFEBVRE, « Boundary element analysis of thermal fatigue effects on high power IGBT modules”, MicroElectronics reliability, accepté, à paraître en 2004
 
composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance :
- Stéphane Lefebvre - F. Miserey
- composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance, Editions Tech & Doc, Octobre 2004
 
Thermal analysis of high power IGBT modules :
- Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre
- Z. KATHIR, S. LEFEBVRE, "Thermal analysis of high power IGBT modules", ISPSD'00, IEEE International Symposium on Power Semiconductor and Devices, Toulouse, Mai 2000, sur CDROM
 
Thermal Analysis of Power Cycling Effects on High Power IGBT Modules by the Boundary Element Method :
- Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre
- Z. KHATIR, S. LEFEBVRE, “ Thermal Analysis of Power Cycling Effects on High Power IGBT Modules by the Boundary Element Method” IEEE Semi-therm, San Jose, March 2001, sur CDROM
 
Power cycling test circuit for thermal fatigue resistance analysis of solder joints in IGBT :
- Laurent Dupond - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Jean-Claude Faugière
- L. DUPONT, S. LEFEBVRE,Z. KHATIR, JC. FAUGIERES, “Power cycling test circuit for thermal fatigue resistance analysis of solder joints in IGBT” EPE 2003, Toulouse France, Septembre 2003, sur CDROM
 
Developpment of a high temperature power module for avionics applications :
- Laurent Dupond - Stéphane Lefebvre - Serge Bontemps - Zoubir Khatir -
- L. DUPONT, S. LEFEBVRE, S. BONTEMPS, Z. KHATIR, R. MEURET, «Developpment of a high temperature power module for avionics applications, PCIM’04, Nürnberg, Allemagne, Mai 2004, sur CDROM
 
Characterisation of SiC Schottky diodes and COOlMOSTM transistors at high temperature :
- Laurent Dupond - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Serge Bontemps -
- L. DUPONT, S. LEFEBVRE, Z. KHATIR, S. BONTEMPS, R. MEURET, «Characterisation of SiC Schottky diodes and COOlMOSTM transistors at high temperature” , IEEE Power Electronics Specialists Conference PESC’04, Aix la Chapelle, Allemagne, juin 2004, sur CDROM
 
Analyse thermique des modules hybrides de puissance à l’aide des éléments de frontière :
- Zoubir Khatir - Stéphane Lefebvre
- Z. KHATIR, S. LEFEBVRE, « Analyse thermique des modules hybrides de puissance à l’aide des éléments de frontière » EPF 2000 Electronique de Puissance du Futur, pp. 347-352, Lille, décembre 2000
 
Développement d’un module de puissanse pour tester la fiabilite d’un convertisseur haute température :
- Laurent Dupond - Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - Serge Bontemps -
- L. DUPONT, S. LEFEBVRE, Z. KHATIR, S. BONTEMPS, R. MEURET « Développement d’un module de puissanse pour tester la fiabilite d’un convertisseur haute température » EPF Toulouse, septembre 2004
 
Fiabilité des dispositifs semi-conducteurs de puissance apports conjoints de la simulation, de l’expérience et de la connaissance technologique des modules :
- Stéphane Lefebvre - Zoubir Khatir - G. Coquery
- S. LEFEBVRE, Z. KHATIR, G. COQUERY « Fiabilité des dispositifs semi-conducteurs de puissance apports conjoints de la simulation, de l’expérience et de la connaissance technologique des modules », Workshop ANADEF, Port d’Albret, Juin 2004